英飞凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™MOSFET1400VG2系列，提升大功率应用中的功率密度
【2025年10月17日,德国慕尼黑讯】电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景，正推动市场对更高系统级功率密度与效率的需求，以满足日益提升的性能预期。同时，这些需求也带来了新的设计挑战，例如，如何在严苛环境条件下实现可靠运行、在应对瞬态过载时如何保持稳定性，以及如何优化整体系统性能。为应对这些挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™MOSFET1400VG2系列。该器件支持更高的直流母线电压，可实现更优异的热性能、更小的系统尺寸，以及更高的可靠性。
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采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™MOSFET1400VG2系列
该封装技术支持在260°C温度下进行多达三次回流焊操作，并可在结温高达200°C的条件下实现可靠运行，同时确保出色的峰值电流能力。借助英飞凌.XT互联技术，这些器件在严苛的应用环境下，依旧可实现更优的热性能以及更强的机械可靠性。全新1400V电压等级为更快的开关速度提供了额外裕量，并简化了过压保护措施。这有助于降低对功率降额使用的需求，同时提升整个系统的可靠性。
采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™MOSFET1400VG2，其导通电阻（RDS(on)）等级涵盖6至29毫欧（mΩ），适用于对高功率密度要求严苛的应用场景，例如商用、工程和农用车辆（CAVs）、电动汽车充电以及电池储能系统。英飞凌还提供采用高爬电距离TO-247-4封装的CoolSiC™MOSFET1400V系列。该产品组合的RDS(on)等级范围为11至38mΩ，其器件同样适用于光伏等应用场景。
