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    铁电存储器FM24C16原理及在多MCU系统中应用

    放大字体  缩小字体 发布日期:2024-03-31 16:30:15    浏览次数:12    评论:0
    导读

    铁电存储器由于FRAM有以上优点,其特别适合于那些对数据采集、写入时间要求很高的场合,而不会出现数据丢失,其可靠的存储能力也让我们可以放心的把一些重要资料存储于其中,其近乎无限次写入的使用寿命,使得他很适合担当重要系统里的暂存记忆体,用来在子系统之间传输各种数据,供各个子系统频繁读写。从FRAM问世以来,凭

    铁电存储器

    由于FRAM有以上优点,其特别适合于那些对数据采集、写入时间要求很高的场合,而不会出现数据丢失,其可靠的存储能力也让我们可以放心的把一些重要资料存储于其中,其近乎无限次写入的使用寿命,使得他很适合担当重要系统里的暂存记忆体,用来在子系统之间传输各种数据,供各个子系统频繁读写。从FRAM问世以来,凭借其各种优点,已经被广泛应用于仪器仪表、航空航天、工业控制系统、网络设备、自动取款机等。

    在设计的碳控仪系统中,由于对控制碳势适时性的要求较高,而且系统由2个子系统构成,每个子系统都要频繁读写存储器,所以我们把原来的X25045换成FM24C16以满足要求。如图1及表1所示。

    FM24C16是串行非易失存储器,存储容量为2 048×8 b,共分8页,每页256 B;工作电压为+5 V;接口方式为工业标准的2线接口:SDA和SCL;功能操作和串行E2PROM相似,有读和写两种操作状态,读、写时序和I2C总线类似。

    FM24C16的写操作可以分为2种:字节写和页面写。字节写就是每次写入单个字节,页面写可以一次写入整页(256 B)的数据。而且,由于没有写延时,数据写入速度很快(一般为μs级),特别是在页面写的时候,不需要数据缓冲,可以一次写入256 B的数据,真正实现页面写,这是其他E2PROM做不到的,比如AT24C16,在页面写的时候,每次最多能写入16 B数据。

    FM24C16的写操作时序中可分为起始位(START)、数据位、从应答位、停止位(STOP),其中,从应答位(因为FM24C16为从器件,MCU为主器件,所以称为从应答)是FM24C16在每接收一个字节数据后发出的应答信号,是检验数据写入是否成功的惟一标志。写入过程为:MCU通过SDA,SCL发出起始位,然后从SDA输出从器件固定地址位:1010,再输出3 b页选择位(选择写入数据到FM24C16的哪一页),再输出写控制位0(读为1,写为0),然后接收来自FM24C16的从应答位,如果没有收到从应答,则退出操作。在接收到从应答后,MCU从SDA串行输出8位FM24C16字节地址以确定写入数据的字节单元,并在收到从应答后发送1 b数据写入到FM24C16,然后等待从应答信号确认数据写入成功。如果是字节写,则由MCU发出停止位,结束写操作。如果是页面写,MCU输出第2个字节数据,FM24C16判断出MCU要继续写入数据后,自动使其内部的地址指针加1,并把数据写入到加1后的字节单元,然后给出从应答,MCU就继续写入数据到FM24C16。页面写操作时,当地址指针到7FH(页尾地址)单元的时候,在下一个写入周期时自动翻转到00H,写入的数据覆盖掉00H单元原来的数据。

     
    (文/小编)
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